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跳動 玩 扭力（牛頓米） (N)
直徑。 （毫米） 導程(毫米) 數量 螺紋方向 根部直徑 直徑 BCD 軸 堅果 行程偏差（ep） 變種(V300)     動態的 靜止的
線     (鈣) （科阿）
GNK0301-3G0+070LC3Y 3 1 1 正確的 φ2.5 φ0.6 3.18 5°43´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 20 C3 ±0.008 0.008 0.025 ～0.005 · 330 第440章 * *
GNK0401-3G0+77LC3Y 4 1 1 正確的 φ3.3 φ0.8 4.15 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 25 C3 ±0.008 0.008 0.025 ～0.010 · 第420章 第570章 * *
GNK0401-3G0+97LC3Y 4 1 1 正確的 φ3.3 φ0.8 4.15 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 45 C3 ±0.008 0.008 0.025 ～0.010 · 第420章 第570章 * *
GNK0401-3G0+127LC3Y 4 1 1 正確的 φ3.3 φ0.8 4.15 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 75 C3 ±0.008 0.008 0.035 ～0.010 · 第420章 第570章 * *
GNK0402-3G0+134LC3Y 4 2 1 正確的 φ3.3 φ0.8 4.15 8°43´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 70 C3 ±0.008 0.008 0.035 ～0.010 · 第420章 510 * *
GNK0404-3G0+134LC3Y 4 4 2 正確的 φ3.3 φ0.8 4.2 16°51´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.6×2 75 C3 ±0.008 0.008 0.035 ～0.010 · 750 1150 * *
GNK0601-3G0+100LC3Y 6 1 1 正確的 φ5.3 φ0.8 6.15 2°58´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 45 C3 ±0.008 0.008 0.025 〜0.013 · 第560章 950 * *
GNK0601-3G0+130LC3Y 6 1 1 正確的 φ5.3 φ0.8 6.15 2°58´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 75 C3 ±0.008 0.008 0.035 〜0.013 · 第560章 950 * *
GNK0601-3G0+160LC3Y 6 1 1 正確的 φ5.3 φ0.8 6.15 2°58´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 105 C3 ±0.010 0.008 0.035 〜0.013 · 第560章 950 * *
GNK0602-3G0+168LC3Y 6 2 1 正確的 φ5.1 φ1.0 6.2 5°52´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 105 C3 ±0.010 0.008 0.035 〜0.015 · 750 1200 * *
GNK0606-3G0+168LC5Y 6 6 2 正確的 φ5.2 φ1.0 6.3 16°50´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 100 C5 ±0.020 0.018 0.050 ～0.005 · 第870章 1450 * *
GNK0610-3G0+168LC5Y 6 10 2 正確的 φ5.0 φ1.2 6.3 26°48´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.2×2 95 C5 ±0.020 0.018 0.050 ～0.005 · 950 1600 * *
GNK0801-3G0+115LC3Y 8 1 1 正確的 φ7.3 φ0.8 8.15 2°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 45 C3 ±0.008 0.008 0.025 〜0.018 · 650 1300 * *
GNK0801-3G0+145LC3Y 8 1 1 正確的 φ7.3 φ0.8 8.15 2°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 75 C3 ±0.008 0.008 0.035 〜0.018 · 650 1300 * *
GNK0801-3G0+175LC3Y 8 1 1 正確的 φ7.3 φ0.8 8.15 2°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 105 C3 ±0.010 0.008 0.035 〜0.018 · 650 1300 * *
GNK0801-3G0+225LC3Y 8 1 1 正確的 φ7.3 φ0.8 8.15 2°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 155 C3 ±0.010 0.008 0.050 〜0.018 · 650 1300 * *
GNK0802-3RRG0+125LC3Y 8 2 1 正確的 φ7.0 φ1.2 8.3 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 50 C3 ±0.008 0.008 0.025 〜0.020 · 1300 2300 * *
GNK0802-3RRG0+155LC3Y 8 2 1 正確的 φ7.0 φ1.2 8.3 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 80 C3 ±0.010 0.008 0.035 〜0.020 · 1300 2300 * *
GNK0802-3RRG0+185LC3Y 8 2 1 正確的 φ7.0 φ1.2 8.3 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 110 C3 ±0.010 0.008 0.035 〜0.020 · 1300 2300 * *
GNK0802-3RRG0+235LC3Y 8 2 1 正確的 φ7.0 φ1.2 8.3 4°23´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 160 C3 ±0.010 0.008 0.050 〜0.020 · 1300 2300 * *
GNK0810-3GT+205LC5Y 8 10 2 正確的 φ6.7 φ1.5875 8.4 20°45´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 125 C5 ±0.020 0.018 0.065 ～0.005 · 2200 3800 * *
GNK0810-3GT+305LC5Y 8 10 2 正確的 φ6.7 φ1.5875 8.4 20°45´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 225 C5 ±0.023 0.018 0.065 ～0.005 · 2200 3800 * *
GNK0810-3GT+405LC5Y 8 10 2 正確的 φ6.7 φ1.5875 8.4 20°45´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 325 C5 ±0.025 0.018 0.075 ～0.005 · 2200 3800 * *
GNK0812-3GT+405LC5Y 8 12 2 正確的 φ6.7 φ1.5875 8.4 24°27´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 325 C5 ±0.025 0.018 0.075 ～0.005 · 2200 3800 * *
GNK1002-3RRG0+143LC3Y 10 2 1 正確的 φ9.0 φ1.2 10.3 3°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 60 C3 ±0.008 0.008 0.035 〜0.025 · 1450 3000 * *
GNK1002-3RRG0+193LC3Y 10 2 1 正確的 φ9.0 φ1.2 10.3 3°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 60 C3 ±0.010 0.008 0.035 〜0.025 · 1450 3000 * *
GNK1002-3RRG0+243LC3Y 10 2 1 正確的 φ9.0 φ1.2 10.3 3°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 60 C3 ±0.010 0.008 0.05 〜0.025 · 1450 3000 * *
GNK1002-3RRG0+293LC3Y 10 2 1 正確的 φ9.0 φ1.2 10.3 3°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 60 C3 ±0.012 0.008 0.05 〜0.025 · 1450 3000 * *
GNK1004-2.5RRG0+180LC3Y 10 4 1 正確的 φ8.2 φ2.0 10.3 7°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 70 C3 ±0.010 0.008 0.035 0.005~0.040 · 1800 2600 * *
GNK1004-2.5RRG0+280LC3Y 10 4 1 正確的 φ8.2 φ2.0 10.3 7°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 170 C3 ±0.012 0.008 0.04 0.005~0.040 · 1800 2600 * *
GNK1004-2.5RRG0+380LC3Y 10 4 1 正確的 φ8.2 φ2.0 10.3 7°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 270 C3 ±0.012 0.008 0.05 0.005~0.040 · 1800 2600 * *
GNK1010-1.5RRG0+240LC5Y 10 10 2 正確的 φ8.4 φ2.0 10.5 16°52´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 125 C5 ±0.020 0.018 0.055 ～0.005 · 3300 5900 * *
GNK1010-1.5RRG0+340LC5Y 10 10 2 正確的 φ8.4 φ2.0 10.5 16°52´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 225 C5 ±0.023 0.018 0.065 ～0.005 · 3300 5900 * *
GNK1010-1.5RRG0+440LC5Y 10 10 2 正確的 φ8.4 φ2.0 10.5 16°52´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 325 C5 ±0.025 0.018 0.08 ～0.005 · 3300 5900 * *
GNK1015-1.5RRG0+431LC5Y 10 15 2 正確的 φ8.4 φ2.0 10.4 24°27´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.6×2 330 C5 ±0.025 0.018 0.08 ～0.005 · 3300 6400 * *
GNK1020-1.5RRG0+431LC5Y 10 20 4 正確的 φ8.4 φ1.5875 10.4 31°28´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 0.7×4 340 C5 ±0.025 0.018 0.08 ～0.005 · 2100 4000 * *
GNK1202-3RRG0+154LC3Y 12 2 1 正確的 φ11.0 φ1.2 12.3 2°58´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 60 C3 ±0.008 0.008 0.035 ～0.005 · 1600 3700 * *
GNK1202-3RRG0+254LC3Y 12 2 1 正確的 φ11.0 φ1.2 12.3 2°58´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 160 C3 ±0.010 0.008 0.04 ～0.005 · 1600 3700 * *
GNK1202-3RRG0+354LC3Y 12 2 1 正確的 φ11.0 φ1.2 12.3 2°58´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1×3 260 C3 ±0.012 0.008 0.05 ～0.005 · 1600 3700 * *
GNK1205-2.5RRG0+180LC3Y 12 5 1 正確的 φ9.6 φ3.175 12.5 7°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 65 C3 ±0.010 0.008 0.035 0.005~0.050 · 4100 7000 * *
GNK1205-2.5RRG0+280LC3Y 12 5 1 正確的 φ9.6 φ3.175 12.5 7°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 165 C3 ±0.012 0.008 0.04 0.005~0.050 · 4100 7000 * *
GNK1205-2.5RRG0+380LC3Y 12 5 1 正確的 φ9.6 φ3.175 12.5 7°15´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 265 C3 ±0.012 0.008 0.05 0.005~0.050 · 4100 7000 * *
GNK1402-3RRG0+166LC3Y 14 2 1 正確的 φ13.0 φ1.2 14.41 2°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 60 C3 ±0.008 0.008 0.025 〜0.040 · 1800 4300 * *
GNK1402-3RRG0+266LC3Y 14 2 1 正確的 φ13.0 φ1.2 14.41 2°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 160 C3 ±0.010 0.008 0.03 〜0.040 · 1800 4300 * *
GNK1402-3RRG0+406LC3Y 14 2 1 正確的 φ13.0 φ1.2 14.41 2°32´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3×1 300 C3 ±0.013 0.008 0.05 〜0.040 · 1800 4300 * *
GNK1404-3RRG0+230LC3Y 14 4 1 正確的 φ12.2 φ2.381 14.3 5°50´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3.8×1 110 C3 ±0.010 0.008 0.03 0.020~0.070 · 5800 11900 * *
GNK1404-3RRG0+330LC3Y 14 4 1 正確的 φ12.2 φ2.381 14.3 5°50´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3.8×1 210 C3 ±0.012 0.008 0.04 0.020~0.070 · 5800 11900 * *
GNK1404-3RRG0+530LC3Y 14 4 1 正確的 φ12.2 φ2.381 14.3 5°50´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 3.8×1 410 C3 ±0.015 0.008 0.055 0.020~0.070 · 5800 11900 * *
GNK1510-5.6G0+321LC5Y 15 10 2 正確的 φ12.20 φ3.175 15.5 11°36´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×2 190 C5 ±0.023 0.018 0.045 ～0.005 · 12000 25000 * *
GNK1510-5.6G0+421LC5Y 15 10 2 正確的 φ12.20 φ3.175 15.5 11°36´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×2 290 C5 ±0.025 0.018 0.06 ～0.005 · 12000 25000 * *
GNK1510-5.6G0+521LC5Y 15 10 2 正確的 φ12.20 φ3.175 15.5 11°36´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×2 第440章 C5 ±0.027 0.018 0.075 ～0.005 · 12000 25000 * *
GNK1510-5.6G0+621LC5Y 15 10 2 正確的 φ12.20 φ3.175 15.5 11°36´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×2 第540章 C5 ±0.030 0.018 0.075 ～0.005 · 12000 25000 * *
GNK1510-5.6G0+721LC5Y 15 10 2 正確的 φ12.20 φ3.175 15.5 11°36´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×2 640 C5 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 · 12000 25000 * *
GNK1510-5.6G0+871LC5Y 15 10 2 正確的 φ12.20 φ3.175 15.5 11°36´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×2 第740章 C5 ±0.030 0.018 0.12 ～0.005 · 12000 25000 * *
GNK1520-3G0+321LC5Y 15 20 2 正確的 φ12.7 φ3.175 15.75 22°01´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.7×2 185 C5 ±0.023 0.018 0.045 ～0.005 · 8000 16000 * *
GNK1520-3G0+421LC5Y 15 20 2 正確的 φ12.7 φ3.175 15.75 22°01´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.7×2 第285章 C5 ±0.025 0.018 0.06 ～0.005 · 8000 16000 * *
GNK1520-3G0+521LC5Y 15 20 2 正確的 φ12.7 φ3.175 15.75 22°01´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.7×2 第415章 C5 ±0.027 0.018 0.075 ～0.005 · 8000 16000 * *
GNK1520-3G0+621LC5Y 15 20 2 正確的 φ12.7 φ3.175 15.75 22°01´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.7×2 515 C5 ±0.030 0.018 0.075 ～0.005 · 8000 16000 * *
GNK1520-3G0+721LC5Y 15 20 2 正確的 φ12.7 φ3.175 15.75 22°01´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.7×2 615 C5 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 · 8000 16000 * *
GNK1520-3G0+871LC5Y 15 20 2 正確的 φ12.7 φ3.175 15.75 22°01´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.7×2 第725章 C5 ±0.030 0.018 0.12 ～0.005 · 8000 16000 * *
GNK2010-2.5RRG0+499LC5Y 20 10 1 正確的 φ17.6 φ3.175 21.075 8°35´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 340 C5 ±0.025 0.018 0.06 ～0.005 · 7000 16500 * *
GNK2010-2.5RRG0+799LC5Y 20 10 1 正確的 φ17.6 φ3.175 21.075 8°35´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 640 C5 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 · 7000 16500 * *
GNK2010-2.5RRG0+1099LC5Y 20 10 1 正確的 φ17.6 φ3.175 21.075 8°35´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 2.7×1 940 C5 ±0.040 0.018 0.15 ～0.005 · 7000 16500 * *
GNK2020-3.6G0+520LC5Y 20 20 1 正確的 φ17.6 φ3.175 20.075 17°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.8×1 365 C5 ±0.025 0.018 0.075 ～0.005 · 5900 11700 * *
GNK2020-3.6G0+720LC5Y 20 20 1 正確的 φ17.6 φ3.175 20.075 17°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.8×1 第565章 C5 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 · 5900 11700 * *
GNK2020-3.6G0+920LC5Y 20 20 1 正確的 φ17.6 φ3.175 20.075 17°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.8×1 第765章 C5 ±0.040 0.018 0.15 ～0.005 · 5900 11700 * *
GNK2020-3.6G0+1120LC5Y 20 20 1 正確的 φ17.6 φ3.175 20.075 17°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.8×1 965 C5 ±0.040 0.018 0.15 ～0.005 · 5900 11700 * *
GNK2020-3.6G0+1320LC5Y 20 20 1 正確的 φ17.6 φ3.175 20.075 17°03´ HRC58～62 S55C 單晶片415H 1.8×1 1165 C5 ±0.040 0.018 0.19 ～0.005 · 5900 11700 * *