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KGG 中國精密滾珠螺桿用於醫療設備的 CNC 微型套筒式滾珠螺桿 TXM 特色圖片
  • KGG中國精密滾珠螺桿醫療設備用數控微型套筒式滾珠螺桿TXM
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KGG中國精密滾珠螺桿醫療設備用數控微型套筒式滾珠螺桿TXM


產品詳情

產品標籤

航空航太零件用M螺紋螺母

TXM系列套筒式滾珠螺桿具有非常嚴格的品質控制標準，涵蓋每個生產流程。透過正確的潤滑和使用，可以長時間無故障運作。

 

TXM系列套筒式滾珠螺桿的高效率遠優於傳統螺桿。所需扭力小於30%。可以輕鬆地將旋轉運動轉變為直線運動。

 

當傳統的螺桿螺帽組件中的軸向間隙最小化時，驅動扭力會變得過大且操作不平穩。 TXM系列精度等級中的軸向遊隙以C3和C5（JIS B 1192-3）為基礎。根據精度等級，可提供軸向遊隙0（預壓：C3）和0.005mm以下（C5）。

模型 軸 球 導程角 電路數量 表面硬度 材料 旅行 年級 軸 導程精度 全部的 軸向 預載 基本額定載重 PDF下載 3D電腦輔助設計
長度（L1） 跳動 玩 扭力（牛頓米） (N)
直徑。 （毫米） 導程(毫米) 數量 螺紋方向 根部直徑 直徑 BCD 軸 堅果   行程偏差（ep） 變種(V300)       動態的 靜止的
線         (鈣) （科阿）
TXM0401A-160R160C3 4 1 1 正確的 Φ3.3 Φ0.8 4.15 4°23' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 145 C3 160 ±0.010 0.008 0.035 0 ~0.004 270 290 * *
間隔球1:1
TXM0401A-600R600C5 第585章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 第420章 第570章 *
TXM0401B-160R160C3 4 1 1 正確的 Φ3.3 Φ0.8 4.15 4°23' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 145 C3 160 ±0.010 0.008 0.035 0 ~0.004 350 400 * *
間隔球1:1
TXM0401B-600R600C5 第585章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   第560章 第790章 *
TXM0402-044R084 4 2 1 正確的 Φ3.3 Φ0.8 4.15 4°23' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 62 C3 84 ±0.008 0.008 0.035 0 ~0.004 260 290 * *
TXM0402-064R104 82 104 ±0.008 0 *
TXM0402-094R134 112 134 ±0.008 間隔球1:1 *
TXM0402-044R084 62 C5 84 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 第420章 第570章 *
TXM0402-064R104 82 104 ±0.018 *
TXM0402-094R134 112 134 ±0.018 *
TXM0501-160R160C3 5 1 1 正確的 Φ4.3 Φ0.8 5.15 3°32' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 145 C3 160 ±0.010 0.008 0.035 0 _ 400 500 * *
間隔球1:1
TXM0501-600R600C5 第585章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   630 1000 *
TXM0504-044R084 5 4 1 正確的 Φ4.3 Φ0.8 5.15 13°53' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 62 C3 84 ±0.008 0.008 0.035 0 ～0.005 300 360 * *
TXM0504-064R104 82 104 ±0.008 0 *
TXM0504-094R134 112 134 ±0.008 間隔球1:1 *
TXM0504-044R084 62 C5 84 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 第470章 720 *
TXM0504-064R104 82 104 ±0.018 *
TXM0504-094R134 112 134 ±0.018 *
TXM0601-064R108 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 62 c3 108 ±0.008 0.008 0.05 o 〜0.006 第430章 610 * *
TXM0601-094R138 82 138 ±0.008 間隔球1:1 *
TXM0601-124R168 112 168 ±0.010   *
TXM10601-064R108 62 C5 108 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005   680 1200 *
TXM0601-094R138 82 138 ±0.018 *
TXM0601-124R168 112 168 ±0.020 *
TXM0601.5-240R240C3 6 1.5 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.2 4°24' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 220 C3 240 ±0.012 0.008 0.05 0 _ 620 800 * *
間隔球1:1
TXM0601.5-600R600C5 第580章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   980 1600 *
TXM0602-064R108 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.2 5°52' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 88 c3 108 ±0.008 0.008 0.05 o 0.003~0.007 第470章 590 * *
TXM0602-094R138 118 138 ±0.008 間隔球1:1 *
TXM0602-124R168 148 168 ±0.010   *
TXM0602-064R108 88 C5 108 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 750 1200 *
TXM0602-094R138 118 138 ±0.018 *
TXM0602-124R168 148 168 ±0.020 *
TXM0602.5-240R240C3 6 2.5 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.2 7°19' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 220 C3 240 ±0.012 0.008 0.05 0 0.003~0.007 第470章 590 * *
間隔球1:1
TXM0602.5-600R600C5 第580章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 _ 750 1200 *
TXM0801-065R115 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 95 C3 155 ±0.008 0.008 0.06 0 0.002~0.008 第490章 820 * *
TXM0801-095R145 125 145 ±0.008 間隔球1:1 *
TXM0801-125R175 155 175 ±0.010   *
TXM0801-175R225 205 225 ±0.010   *
TXM0801-065R115 95 C5 155 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 780 1650 *
TXM0801-095R145 125 145 ±0.018 *
TXM0801-125R175 155 175 ±0.020 *
TXM0801-175R225 205 225 ±0.020 *
TXM0801.5-330R330C3 8 1.5 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.2 3°20' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 310 C3 330 ±0.013 0.008 0.06 0 _ 700 1100 * *
間隔球1:1
TXM0801.5-600R600C5 第580章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   1100 2200 *
TXM0802A-074R124 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.2 4°26' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 97 C3 124 ±0.008 0.008 0.06 0 0.004~0.020 700 1100 * *
TXM0802A-104R154 127 154 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM0802A-134R184 157 184 ±0.010   *
TXM0802A-184R234 207 234 ±0.010   *
TXM0802A-074R124 97 C5 124 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 1100 2200 *
TXM0802A-104R154 127 154 ±0.020 *
TXM0802A-134R184 157 184 ±0.020 *
TXM0802A-184R234 207 234 ±0.020 *
TXM0802B-074R124 8 2 1 正確的 Φ6.6 Φ1.5875 8.3 4°23' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 100.5 C3 124 ±0.008 0.008 0.06 0 0.004~0.020 1550 2100 * *
TXM0802B-104R154 130.5 154 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM0802B-134R184 160.5 184 ±0.010   *
TXM0802B-184R234 210.5 234 ±0.010   *
TXM0802B-074R124 100.5 C5 124 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 2400 4100 *
TXM0802B-104R154 130.5 154 ±0.020 *
TXM0802B-134R184 160.5 184 ±0.020 *
TXM0802B-184R234 210.5 234 ±0.020 *
TXM0802.5A-330R330C3 8 2.5 1 正確的 Φ6.3 Φ1.5875 8 5°41' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 310 C3 330 ±0.013 0.008 0.06 0 _ _ _ * *
間隔球1:1
TXM0802.5A-330R330C5 第580章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 _ 1850年 3000 *
TXM0802.5B-330R330C3 8 2.5 1 正確的 Φ6.3 Φ1.5875 8.3 5°29' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 305 C3 330 ±0.013 0.008 0.06 0 _ 1550 2100 * *
間隔球1:1
TXM0802.5B-600R600C5 第575章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 _ 2400 4100 *
TXM0803-330R330C3 8 3 1 正確的 Φ6.2 Φ2.0 8.3 6°34' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 305 C3 330 ±0.013 0.008 0.06 0 _ 1650 2100 * *
間隔球1:1
TXM0803-600R600C5 第575章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 _ 2600 4200 *
TXM0804-074R124 8 4 1 正確的 Φ6.2 Φ2.0 8.3 8°43' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 91 C3 124 ±0.008 0.008 0.06 0 ～0.005 1650 2100 * *
TXM0804-104R154 121 154 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM0804-134R184 151 184 ±0.010   *
TXM0804-184R234 201 234 ±0.010   *
TXM0804-074R124 91 C5 124 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 2600 4200 *
TXM0804-104R154 121 154 ±0.020 *
TXM0804-134R184 151 184 ±0.023 *
TXM0804-184R234 201 234 ±0.020 *
TXM0805-154R204 8 5 1 正確的 Φ6.6 Φ1.5875 8.3 10°51' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 173 C3 204 ±0.010 0.008 0.06 0 ～0.005 1150 1500 * *
TXM0805-204R254 223 第254章 ±0.012 間隔球1:1 *
TXM0805-254R304 273 304 ±0.012   *
TXM0805-304R354 323 第354章 ±0.012   *
TXM0805-354R404 第373章 404 ±0.013   *
TXM0805-154R204 173 C5 204 ±0.020 0.018 0.09 ～0.005 _ 1850年 3000 *
TXM0805-204R254 223 第254章 ±0.023 *
TXM0805-254R304 273 304 ±0.023 *
TXM0805-304R354 323 第354章 ±0.023 *
TXM0805-354R404 第373章 404 ±0.025 *
TXM1001-085R143 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 8.3 1°48' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 123 C3 143 ±0.008 0.008 0.065 0 〜0.002 第530章 1000 * *
TXM1001-135R193 173 193 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1001-185R243 223 243 ±0.010   *
TXM1001-235R293 273 293 ±0.012   *
TXM1001-085R143 123 C5 143 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 第840章 2000年 *
TXM1001-135R193 173 193 ±0.020 *
TXM1001-185R243 223 243 ±0.020 *
TXM1001-235R293 273 293 ±0.023 *
TXM1001.5-420R420C3 10 1.5 1 正確的 Φ9.1 Φ1.0 10.2 2°41' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 405 C3 第420章 ±0.015 0.008 0.065 0 _ 第790章 1400 * *
間隔球1:1
TXM1001.5-600R600C5 第585章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   1250 2800 *
TXM1002-085R143 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.3 3°32' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 116 C3 143 ±0.008 0.008 0.065 0 ～0.00.006～0.030 1750 2700 * *
TXM1002-135R193 166 193 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1002-185R243 216 243 ±0.010   *
TXM1002-235R293 266 293 ±0.012   *
TXM1002-085R143 116 C5 143 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 2700 5300 *
TXM1002-135R193 166 193 ±0.020 *
TXM1002-185R243 216 243 ±0.020 *
TXM1002-235R293 266 293 ±0.023 *
TXM1002.5-420R420C3 395 10 2.5 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.3 4°25' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第395章 C3 第420章 ±0.015 0.008 0.065 0 - 1750 2700 * *
間隔球1:1
TXM1002.5-600R600C5 第575章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 2700 5300 *
TXM1003-420R420C3 10 3 1 正確的 Φ8.2 Φ2.0 10.3 5°18' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 390 C3 第420章 ±0.015 0.008 0.065 0 - 2500 3600 * *
間隔球1:1
TXM1003-600R600C5 第570章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 3900 7200 *
TXM1004-110R168 10 4 1 正確的 Φ8.2 Φ2.0 10.3 7°03' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 136 C3 168 ±0.010 0.008 0.065 0 0.005~0.040 1800 2600 * *
TXM1004-160R218 176 218 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1004-210R268 236 268 ±0.012   *
TXM1004-260R318 276 318 ±0.012   *
TXM1004-310R368 第336章 第368章 ±0.012   *
TXM1004-110R168 136 C5 168 ±0.020 0.018 0.09 ～0.005 _ 3000 5200 *
TXM1004-160R218 176 218 ±0.020 *
TXM1004-210R268 236 268 ±0.023 *
TXM1004-260R318 276 318 ±0.023 *
TXM1004-310R368 第336章 第368章 ±0.023 *
TXM1005A-420R420C3 390 10 5 1 正確的 Φ8.2 Φ2.0 10.3 8°47' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 390 C3 第420章 ±0.015 0.008 0.065 0 0.005~0.040 1800 2600 * *
間隔球1:1
TXM1005A-600R600C5 第570章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 _ 3000 5200 *
TXM1005B-420R420C3 390 10 5 1 正確的 Φ8.2 Φ2.0 10.3 8°47' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第385章 C3 第420章 ±0.015 0.008 0.065 0 0.005~0.040 1800 2600 * *
間隔球1:1
TXM1005-600R600C5 第565章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005 _ 3000 5200 *
TXM1201-510R510C3 12 1 1 正確的 Φ11.3 Φ0.8 12.15 1°30' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第495章 C3 510 ±0.015 0.008 0.065 0 _ 第570章 1200 * *
間隔球1:1
TXM1201-600R600C5 第585章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   910 2400 *
TXM1202-085R154 12 2 1 正確的 Φ10.6 Φ1.5875 12.3 2°58' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 127 C3 154 ±0.030 0.008 0.065 0 0.008~0.040 1900年 3200 * *
TXM1202-135R204 177 204 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1202-185R254 227 第254章 ±0.010   *
TXM1202-235R304 第277章 304 ±0.012   *
TXM1202-285R354 第327章 第354章 ±0.012   *
TXM1202-085R154 127 C5 154 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 _ 3000 6400 *
TXM1202-135R204 177 204 ±0.020 *
TXM1202-185R254 227 第254章 ±0.020 *
TXM1202-235R304 第277章 304 ±0.023 *
TXM1202-285R354 第327章 第354章 ±0.023 *
TXM1202.5-510R510C3 12 2.5 1 正確的 Φ10.6 Φ1.5875 12.3 3°42' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第490章 C3 510 ±0.015 0.008 0.065 0 _ 1850年 3200 * *
間隔球1:1
TXM1202.5-600R600C5 第580章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   3000 6400 *
TXM1203-510R510C3 485 12 3 1 正確的 Φ10.2 Φ2.0 12.3 4°26' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第485章 C3 510 ±0.015 0.008 0.065 0 _ 2800 4300 * *
間隔球1:1
TXM1203-600R600C5 第575章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   4300 8700 *
TXM1204-510R510C3 485 12 4 1 正確的 Φ9.8 Φ2.381 12.3 5°55' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第475章 C3 510 ±0.015 0.008 0.065 0 _ 3400 5100 * *
間隔球1:1
TXM1204-600R600C5 第565章 C5 600 ±0.030 0.018 0.09 ～0.005   5400 10200 *
TXM1205-110R179 12 5 1 正確的 Φ9.8 Φ2.381 12.3 7°22' 2.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 143 C3 179 ±0.010 0.008 0.065 0 0.008~0.040 2500 3700 * *
TXM1205-160R229 193 229 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1205-210R279 243 第279章 ±0.012   *
TXM1205-260R329 293 第329章 ±0.012   *
TXM1205-310R379 第343章 第379章 ±0.012   *
TXM1205-335R404 第368章 404 ±0.013   *
TXM1205-110R179 143 C5 179 ±0.020 0.018 0.09 ～0.005 _ 4100 7400 *
TXM1205-160R229 193 229 ±0.020 *
TXM1205-210R279 243 第279章 ±0.023 *
TXM1205-260R329 293 第329章 ±0.023 *
TXM1205-310R379 第343章 第379章 ±0.023 *
TXM1205-335R404 第368章 404 ±0.025 *
TXM1401-600R600C3 14 1 1 正確的 Φ13.3 Φ0.8 14.5 1°17' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第585章 C3 600 ±0.016 0.008 0.055 0 _ 610 1450 * *
間隔球1:1
TXM1401-1200R1200C5 1185 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   960 2900 *
TXM1402-085R156 14 2 1 正確的 Φ12.6 Φ1.5875 14.3 2°33' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 128 C3 156 ±0.030 0.008 0.055 0 0.010~0.050 2000年 3800 * *
TXM1402-135R206 178 206 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1402-185R256 228 256 ±0.010   *
TXM1402-235R306 278 306 ±0.012   *
TXM1402-335R406 第378章 406 ±0.013   *
TXM1402-085R156 128 C5 156 ±0.018 0.018 0.15 ～0.005 _ 3200 7500 *
TXM1402-135R206 178 206 ±0.020 *
TXM1402-185R256 228 256 ±0.020 *
TXM1402-235R306 278 306 ±0.023 *
TXM1402-335R406 第378章 406 ±0.025 *
TXM1402.5-600R600C3 585 14 2.5 1 正確的 Φ12.6 Φ1.5875 14.3 3°11' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第585章 C3 600 ±0.016 0.008 0.055 0 _ 2000年 3800 * *
間隔球1:1
TXM1402.5-1200R1200C5 1185 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   3200 7500 *
TXM1403-600R600C3 575 14 3 1 正確的 Φ12.2 Φ2.0 14.3 3°49' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第575章 C3 600 ±0.016 0.008 0.055 0 _ 2900 5000 * *
間隔球1:1
TXM1403-1200R1200C5 第1175章 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   4600 10100 *
TXM1404-148R219 14 4 1 正確的 Φ11.8 Φ2.381 14.3 5°05' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 183 C3 219 ±0.010 0.008 0.055 0 0.020~0.070 3600 5800 * *
TXM1404-198R269 233 269 ±0.010 間隔球1:1 *
TXM1404-248R319 第283章 第319章 ±0.012   *
TXM1404-348R419 第383章 第419章 ±0.013   *
TXM1404-448R519 第483章 519 ±0.015   *
TXM1404-148R219 183 C5 219 ±0.020 0.018 0.15 ～0.005 _ 5700 11600 *
TXM1404-198R269 233 269 ±0.020 *
TXM1404-248R319 第283章 第319章 ±0.023 *
TXM1404-348R419 第383章 第419章 ±0.025 *
TXM1404-448R519 第483章 519 ±0.027 *
TXM1405-600R600C3 14 5 1 正確的 Φ11.8 Φ2.381 14.3 6°21' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第565章 C3 600 ±0.016 0.008 0.055 0 _ 3600 5800 * *
間隔球1:1
TXM1405-1200R1200C5 1165 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   5700 11600 *
TXM1601-700R700C3 685 16 1 1 正確的 Φ15.3 Φ0.8 16.15 1°08' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第685章 C3 700 ±0.018 0.008 0.07 0 _ 640 1650 * *
間隔球1:1
TXM1601-1200R1200C5 1185 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   1000 3300 *
TXM1602-700R700C3 16 2 1 正確的 Φ14.6 Φ1.5875 16.3 2°14' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 680 C3 700 ±0.018 0.008 0.07 0 _ 2100 4300 * *
間隔球1:1
TXM1602-1200R1200C5 1180 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   3400 8600 *
TXM1603-700R700C3 675 16 3 1 正確的 Φ14.2 Φ2.0 16.3 3°21' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第675章 C3 700 ±0.018 0.008 0.07 0 _ 3100 5800 * *
間隔球1:1
TXM1603-1200R1200C5 第1175章 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   4900 11600 *
TXM1604-700R700C3 670 16 4 1 正確的 Φ13.8 Φ2.381 16.3 4°28' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 670 C3 700 ±0.018 0.008 0.07 0 _ 3900 6800 * *
間隔球1:1
TXM1604-1200R1200C5 1170 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005   6200 13600 *
TXM1605-700R700C3 16 5 1 正確的 Φ13.2 Φ3.175 16.3 5°31' 3.7×1 HRC58～62 S55C 單晶片415H 第665章 C3 700 ±0.018 0.008 0.07 0 _ 5700 9100 * *
間隔球1:1
TXM1605-1200R1200C5 1165 C5 1200 ±0.046 0.018 0.15 ～0.005 _ 9100 18200 *

 

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