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FXM

模型 軸 球 導程角 表面硬度 材料 旅行 年級 軸
長度（L1）		 導程精度 全部的
用完		 軸向
玩		 預載
扭力（牛頓米）		 基本額定載重
(N)		 PDF下載 3D電腦輔助設計
直徑。（毫米） 導程(毫米) 數量
線		 螺紋方向 根部直徑 直徑 BCD 軸 堅果 行程偏差（ep） 變種(V300) 動態的
(鈣)		 靜止的
（科阿）
FXMO601-064R108 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' HRC58～62 S55C 單晶片415H 88 C3 108 ±0.008 0.008 0.05 0 間隔球
(1:1)		 〜0.006 第430章 610 *
 *
FXMO601-094R138 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' HRC58～62 S55C 單晶片415H 118 138 ±0.008 *
FXM0601-124R168 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' HRC58～62 S55C 單晶片415H 148 168 ±0.010 *
FXMO601-064R108 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' HRC58～62 S55C 單晶片415H 88 c5 108 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 - 680 1200 *
FXM0601-094R138 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' HRC58～62 S55C 單晶片415H 118 138 ±0.018 *
FXM0601-124R168 6 1 1 正確的 Φ5.3 Φ0.8 6.15 2°58' HRC58～62 S55C 單晶片415H 148 168 ±0.020 *
FXMO602-064R108 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.20 5°52' HRC58～62 S55C 單晶片415H 88 C3 108 ±o.008 0.008 0.05 0 間隔球
(1:1)		 0.003~0.007 第470章 590 *
 *
FXMO602-094R138 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.20 5°52' HRC58～62 S55C 單晶片415H 118 138 ±0.008 *
FXMO602-124R168 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.20 5°52' HRC58～62 S55C 單晶片415H 148 168 ±0.010 *
FXMO602-064R108 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.20 5°52' HRC58～62 S55C 單晶片415H 88 c5 108 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 - 750 1200 *
FXM0602-094R138 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.20 5°52' HRC58～62 S55C 單晶片415H ll8 138 ±0.018 *
FXM0602-124R168 6 2 1 正確的 Φ5.1 Φ1.0 6.20 5°52' HRC58～62 S55C 單晶片415H 148 168 ±0.020 *
FXM0801-065R115 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 95 c3 115 ±0.008 0.008 0.06 0 間隔球
(1:1)		 0.004~0.020 第490章 820 *
 *
FXM0801-095R145 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 125 145 ±0.008 *
FXMO801-125R175 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 155 175 ±0.010 *
FXM0801-175R225 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 205 225 ±0.010 *
FXM0801-065R115 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 95 c5 115 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 - 780 1650 *
FXMO801-095R145 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 125 145 ±0.018 *
FXMO801-125R175 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 155 175 ±0.020 *
FXMO801-175R225 8 1 1 正確的 Φ7.3 Φ0.8 8.15 2°15' HRC58～62 S55C 單晶片415H 205 225 ±0.020 *
FXM0802-074R124 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 97 c3 124 ±o.008 0.008 0.06 0 間隔球
(1:1)		 0.004~0.020 540 800 *
 *
FXM802-104R154 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 127 154 ±0.010 *
FXMO802-134R184 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 157 184 ±0.010 *
FXMO802-184R234 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 207 234 ±0.010 *
FXMO802-074R124 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 97 c5 124 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 - 850 1600 *
FXM0802-104R154 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 127 154 ±0.020 *
FXMO802-134R184 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 157 184 ±0.020 *
FXMO802-184R234 8 2 1 正確的 Φ7.1 Φ1.0 8.20 4°26' HRC58～62 S55C 單晶片415H 207 234 ±0.020 *
FXM1001-085R143 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 123 c3 143 ±0.008 0.008 0.065 0 間隔球
(1:1)		 〜0.020 第530章 1000 *
 *
FXM1001-135R193 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 173 193 ±0.010 *
FXM1001-185R243 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 223 243 ±0.010 *
FXM1001-235R293 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 273 293 ±0.012 *
FXM1001-085R143 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 123 C5 143 ±0.018 0.018 0.09 ～0.005 - 840 2000年 *
FXM1001-135R193 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 173 193 ±0.020 *
FXM1001-185R243 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 223 243 ±0.020 *
FXM1001-235R293 10 1 1 正確的 Φ9.3 Φ0.8 10.15 1°48' HRC58～62 S55C 單晶片415H 273 293 ±0.023 *
FXM1002-085R143 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 116 c3 143 ±0.008 0.008 0.065 0 間隔球
(1:1)		 0.006~0.030 1750 2700 *
 *
FXM1002-135R193 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 166 193 ±0.010 *
FXM1002-185R243 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 216 243 ±0.010 *
FXM1002-235R293 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 266 293 ±0.012 *
FXM1002-085R143 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H l16 c5 143 ±0.018 0.018 0.09° ～0.005 - 2700 5300 *
FXM1002-135R193 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 166 193 ±0.020 *
FXM1002-185R243 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 216 243 ±0.020 *
FXM1002-235R293 10 2 1 正確的 Φ8.6 Φ1.5875 10.30 3°32' HRC58～62 S55C 單晶片415H 266 293 ±0.023 *